美或禁止向中国出口用于128层以上NAND芯片制造设备

咖啡不放糖

即近日美国商务部给各大半导体设备巨头发放通知：禁止半导体设备商向中国提供14纳米及更先进的半导体制造设备后，现在又瞄上了在中国大陆的存储芯片制造。

8月1日路透社报道，据四位知情人士透露，美国正在考虑限制向中国大陆的存储芯片制造商，以及国外存储厂商在中国大陆的工厂提供美国半导体制造设备。

这将包括长江存储技术（YMTC）在内的中国本土存储芯片制造商。另外韩国的内存芯片巨头三星电子和SK海力士在中国存储芯片工厂也可能受到冲击。三星在中国有两家大型工厂，而SK海力士公司正在收购英特尔公司 NAND闪存芯片在中国的制造业务。

此次打击行动如果获得批准，将包括禁止向中国生产先进NAND芯片的工厂出口美国芯片制造设备。此举旨在阻止中国半导体行业的发展，进而保护美国企业。

数据显示，中国大陆的NAND芯片产量占全球总量的比例已从2019年的14%以下增长至今年的23%以上，而同期美国的产量则从2.3%下降至1.6%。对于美国公司来说，他们几乎所有的芯片生产都是在海外完成的。

据两位消息人士透露，根据正在考虑的行动，美国官员将禁止向中国大陆出口用于制造128层以上NAND芯片的半导体设备。总部位于美国硅谷的泛林集团（Lam Research Corp.）和应用材料公司（Applied Materials）是此类设备的主要供应商。

YMTC 128L Xtacking 2.0 Peripheral CMOS Die Floorplan

目前还不清楚这些潜在的限制措施可能会对中国的其他企业产生什么影响。英特尔的一份新闻稿称，该公司保留了向SK海力士(SK Hynix)出售的中国工厂的运营管理合同，目前已在中国工厂生产144层的存储芯片。